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TI推出600V氮化镓功率级MOSFET  

2016-05-04 15:01:37|  分类: 场效应管 |  标签: |举报 |字号 订阅

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  TI的600V GaN FET功率级革命性地提升高性能电力转换效能
  基于数十年的电源管理创新经验,德州仪器(TI)近日宣布推出一款600V氮化镓(GaN)70mù场效应晶体管(FET)功率级工程样片,从而使TI成为首家、也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。与基于硅材料FET的解决方案相比,这款全新的12A、LMG3410功率级与TI的模拟与数字电力转换控制器组合在一起,能使设计人员创造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的设计。而这些优势在隔离式高压工业、电信、企业计算和可再生能源应用中都特别重要。
  “通过3百万小时以上的可靠测试,LMG3410使电源设计人员对GaN的无限潜能充满信心,并且这也他们用之前认为根本不可行的方法重新思考电源架构和系统”。TI高压电源解决方案副总裁Steve Lambouses说,“随着TI在生产制造能力和大量系统设计专业知识方面的声誉不断扩大,全新的功率级成为TI迈向GaN市场的重要一步”。
  借助集成驱动器和零反向恢复电流等特性,LMG3410提供可靠的性能,特别是在硬开关应用中更是如此;在这些应用中,它能够极大地降低开关损耗,最多能降低80%。与独立GaN FET不同,易于使用的LMG3410集成了针对温度、电流和欠压闭锁(UVLO)故障保护的内置智能化等功能。
TI推出600V氮化镓功率级MOSFET - STAR - 电子元器件
  经验证的制造和封装专业技术
  LMG3410是第一款包含了由TI生产的GaN FET的半导体集成电路(IC)。基于在制造和工艺领域多年形成的专业技术,TI在其硅技术兼容的工厂内创造出了GaN器件,并且通过不断的实践,使这些器件的质量超过了电子元件工业联合会(JEDEC)标准的要求,以确保GaN在严酷的使用环境下的可靠性和稳健耐用性。易于使用的封装将有助于增加功率因数控制器(PFC)AC/DC转换器、高压DC总线转换器和光伏(PV)逆变器等应用中GaN电源设计的部署和采用率。
  LMG3410的主要特点和优势
  使功率密度加倍。与基于硅材料的先进升压功率因数转换器相比,600V功率级在图腾柱PFC中的功率损耗还要低50%。减少的物料清单(BOM)数量和更高的效率最多可以将电源的尺寸减少50%。
  减少封装寄生电感。与分立式GaN解决方案相比,全新器件的8mmx8mm四方扁平无引线(QFN)封装减少了功率损耗、组件电压应力和电磁干扰(EMI)。
  可实现全新拓扑。GaN的零反向恢复电荷有益于全新开关拓扑,其中包括图腾柱PFC和LLC拓扑,以增加功率密度和效率。
  拓展GaN生态系统:为了能够让设计人员在他们的电源设计中利用GaN技术所具有的优势,TI还推出了全新的产品,以扩展其GaN生态系统。LMG5200POLEVM-10,一个48V至1V负载点(POL)评估模块,将包括与80V的LMG5200 GaN FET功率级配对使用的全新TPS53632G GaN FET控制器。这个解决方案可以在工业、电信和数据通信应用中实现高达92%的效率。
  供货:TI将提供包含一个半桥子板和4个LMG3410 IC样片的开发套件。第二个套件包含一个系统级评估母板。一起使用时,这两个套件可实现直接工作台测试和设计。现在,这两个开发套件在TI商店有售。
  http://www.ti.com.cn/tool/cn/lmg3410-hb-evm#Technical Documents


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