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东芝推出汽车应用40V的N-MOSFET  

2016-03-01 12:49:10|  分类: 场效应管 |  标签: |举报 |字号 订阅

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  东芝面向汽车应用领域推出了40V、N沟道功率MOSFE
  在面向直流-直流转换器、电动助力转向系统(EPS)大容量电机驱动器和半导体继电器等汽车应用领域中,东芝推出了40V N沟道功率MOSFET。
  对于设计者来说,更低的导通电阻意味着更低的传导损耗,从而降低功耗,尤其是在重载的情况下。
  该新产品对利用东芝最先进的第9代MOS“U-MOS IX Series”沟道工艺制造的芯片进行低阻抗TO-220SM(W)封装,实现了低导通阻抗。
东芝推出汽车应用40V的N-MOSFET - STAR - 电子元器件
  东京(美国商业资讯)
  东芝公司旗下半导体与存储产品公司今日宣布面向直流-直流转换器、电动助力转向系统(EPS)大容量电机驱动器和半导体继电器等汽车应用推出40V、N沟道功率MOSFET。
  MOSFET产品阵容的最新产品“TKR74F04PB”出货即日启动。
  这份智能新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅 
  该新产品对利用东芝最先进的第9代MOS“U-MOS IX Series”沟道工艺制造的芯片进行低阻抗TO-220SM(W)封装,实现了业界领先的低导通电阻。
  新产品的低导通电阻和低开关噪声级有助于在汽车应用中降低导通损耗和电磁干扰。
  在具有相同额定功率的产品类别中,截至2016年1月29日。



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