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东芝扩充新一代N-channel MOSFET系列  

2016-01-21 13:36:21|  分类: 场效应管 |  标签: |举报 |字号 订阅

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  东芝(Toshiba)宣布推出新一代N-channel MOSFET 30V及60V系列,皆以U-MOS IX-H沟槽式半导体制程为基础设计,此设计已被使用于降低导通电阻,在各种不同载量下带来较佳效率;同时也可降低输出电容。适用于通讯设备、伺服器和Data center及网通产品的电源供应器,有助于提高电源效率。
  以U-MOS IX-H沟槽式制程为基础,进而发展双面散热各式规格的高效能小型化封装,该公司欧洲分部已开始对原使用低压MOSFET 40V的客户推广30V与60V的新封装产品。在DSOP封装的散热效率上有显着改善;目前双面散热全系列皆可在台湾区提供样品测试。
  另外,新产品可帮助设计者降低各种电源管理电路的损耗及缩小板子空间,包含直流-直流转换器的High Side及Low Side开关,以及交流-直流设计中的二次侧同步整流。此技术也适合马达控制及锂电池电子设备中的保护模组。
  在VGS为10V时,30V MOSFET的最大导通电阻仅0.6mΩ,Coss的标准值是2160pF。60V产品提供的导通电阻及Coss的标准值:1.3mΩ及960Pf,这可确保加强在既定应用上优化性能的灵活性。此系列产品均可用于薄型表面黏着封装DSOP Advance,两者的PCB面积仅5mm x 6mm。选用DSOP Advance方案可显着降低系统温度,使设计上允许使用较小的散热片或省去散热片。


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