注册 登录  
 加关注
   显示下一条  |  关闭
温馨提示!由于新浪微博认证机制调整,您的新浪微博帐号绑定已过期,请重新绑定!立即重新绑定新浪微博》  |  关闭

电子元器件

可控硅,场效应管,肖特基二极管,IC集成电路

 
 
 

日志

 
 
关于我

生产与销售:电子元件、半导体器件、电子产品的设计与开发、居家用品。

网易考拉推荐

Vishay新推N-MOS:SiA466EDJ  

2015-03-05 16:18:27|  分类: 场效应管 |  标签: |举报 |字号 订阅

  下载LOFTER 我的照片书  |
Vishay新推N-MOS:SiA466EDJ - STAR - 电子元器件

  Vishay最新推出20V N沟道 Trench FET功率MOSFET:SiA466EDJ
  可显著提高便携式电子产品的功率密度和可靠性
  Vishay推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK SC-70?封装的新款20V N沟道TrenchFET?功率MOSFET:SiA466EDJ。
  Vishay Siliconix SiA466EDJ的占位面积为2mm×2mm,具有业内最高的封装限制电流,可使便携式电子产品实现更高的功率密度和可靠性。它同时也是业内唯一具有±20V的额定VGS,提供集成ESD保护功能的此类器件。
  SiA466EDJ的25A封装限制电流比最接近的器件高13%。
  在负载开关应用里,高额定电流为大涌入电流和短路等故障情况提供了额外的安全裕量。
  MOSFET集成ESD保护功能,保护能力达到2500V,能防止因触摸或人体接触而导致的静电破坏。
  今天推出的器件是多用途的电源管理解决方案,可用于便携式电子产品。
  器件具有大电流和出色的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM),适用于无线和快速电池充电器、智能手机、平板电脑、笔记本电脑和电子锁里面的同步降压转换器和负载开关。
  为提高高频开关应用里的效率,SiA466EDJ在10V、6V和4.5V下的导通电阻分别为9.5mΩ、11.1mΩ和13.0mΩ,可减少导通损耗,典型栅极电荷为6.3nC,栅极电阻为0.9Ω,使开关损耗最小化。
  MOSFET经过了100%的RG测试,符合RoHS,无卤素。
  SiA466EDJ现可提供样品,并已实现量产,大批量订单供货周期为十三周。  

  评论这张
 
阅读(134)| 评论(0)
推荐 转载

历史上的今天

在LOFTER的更多文章

评论

<#--最新日志,群博日志--> <#--推荐日志--> <#--引用记录--> <#--博主推荐--> <#--随机阅读--> <#--首页推荐--> <#--历史上的今天--> <#--被推荐日志--> <#--上一篇,下一篇--> <#-- 热度 --> <#-- 网易新闻广告 --> <#--右边模块结构--> <#--评论模块结构--> <#--引用模块结构--> <#--博主发起的投票-->
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

页脚

网易公司版权所有 ©1997-2017