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仙童推出第二代800V超结MOS系列产品  

2015-03-10 17:46:39|  分类: 场效应管 |  标签: |举报 |字号 订阅

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  Fairchild 的 800V SuperFET II MOSFET系列提供最低的导通电阻和多种可选封装
  Fairchild今日推出 800V SuperFET? II MOSFET 系列,该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻RDS(on)和输出电容Coss。新系列帮助设计师提高高性能解决方案(需要 600V~650V 以上的击穿电压)的效率、成本效益和可靠性,同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。
  800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性,加上出色的效率和热特性,使其成为各种应用的理想之选。同时,多种可选封装为设计师带来巨大的灵活性,在尺寸受限的设计中尤为如此。该系列的关键应用包括 LED 照明、LED 电视和家庭影院音响设备的电源、电源适配器、服务器、工业电源和辅助电源及微型太阳能逆变器。

  借助 Fairchild 的全新 800V SuperFET? II MOSFET 系列,制造商可提高产品的效率和可靠性。由于优越的开关性能和低导通电阻,此系列的效率明显优于最接近的竞争产品,Fairchild 的首席技术市场工程师 Wonhwa Lee 说。新系列采用最新的超级结技术,实现小形状因数及更胜以往的高效率,其耐用的内置二极管在高 dv/dt 条件下可提高工业桥式电路的可靠性

  Fairchild最新的SuperFET II MOSFET 系列由 Rdson 范围为 4.3Ω 至业内最低 60mΩ 的26个器件(均以各种标准封装提供)组成,为设计师在针对特定应用采用最佳器件中提供更多选择和灵活性。例如,FCD850N80Z 是该系列的主要成员,将 DPAK 中异常低的850mΩ【RDS(ON)(最大值)】与比主要竞争产品低 6~11% 的RDS(ON)(最大值)和低8~13% 的Coss (@400V)相结合,使其成为需要低导通电阻和尺寸受限的 LED 照明应用的理想之选。
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