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东芝推出60V车用MOS:TK25S06N1L  

2015-02-09 13:20:55|  分类: 场效应管 |  标签: |举报 |字号 订阅

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东芝推出60V车用MOS:TK25S06N1L - STAR - 电子元器件
东芝推出导通电阻仅为18.5mΩ的60V耐压车用功率MOSFET
  日本东芝半导体公司最新推出:
  导通电阻仅为18.5mΩ(栅源间电压为+10V时的最大值)的、
  耐压为+60V的、功率MOSFETTK25S06N1L
  新产品为N沟道产品,采用TO-252(DPAK+)封装
  外形尺寸为:6.5mm×5.5mm×2.3mm(不包括引脚)
  该公司介绍称,“在同样的产品中,新产品实现了业界顶级的低导通电阻特性”。
  新产品还计划获得车用分立元件质量标准“AEC-Q101”认证。
  该产品主要用于:
  车载设备的电机驱动电路、
  发动机控制单元(ECU)、
  LED前灯的驱动以及车载用DC-DC转换器等。 
  TK25S06N1L采用东芝独有的U-MOSVIII-H工艺技术制造,
  最大连续漏极电流为25A、最大脉冲漏极电流为50A,内置栅源间的齐纳二极管。
  该产品将开关噪声控制在较低水平,因此可以降低电磁噪声(EMI)。
  该产品可利用+4.5V的逻辑信号进行驱动,工作接合部温度最大为+175℃。
  目前价格尚未公布。TK25S06N1L官网发布新闻

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