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ST推出新款碳化硅MOS管:SCT20N120  

2015-02-11 14:56:42|  分类: 场效应管 |  标签: |举报 |字号 订阅

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ST推出新款碳化硅MOS管:SCT20N120 - STAR - 电子元器件
ST最新推出1200V碳化硅MOS管:SCT20N120
  中国,2015年2月10日,意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)
  推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管,其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势,包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。
  意法半导体推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管,其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势,包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。
  意法半导体是业界少数具有高可靠性、高能效碳化硅功率半导体研发的领导厂商之一,并始终致力于技术的研发与升级。
  这次推出的1200V、SCT20N120,进一步扩大了碳化硅MOSFET产品系列,
  具有小于290m?的通态电阻(RDS(ON))及高达200℃的最大工作结温等诸多特性优势;
  其高度稳定的关断电能(Eoff)和栅电荷(Qg)可使开关性能在整个工作温度范围内表现始终如一。
  最终的低导通损耗和开关损耗配合超低泄漏电流,将有助于简化热管理设计,并最大限度地提高可靠性。
  除更低的电能损耗外,意法半导体的碳化硅MOSFET的开关频率也同样出色,较同等级的硅绝缘栅双极型晶体管(IGBT)高出三倍,这让设计人员能够使用更小的外部元器件,进而降低产品尺寸、重量以及材料成本。
  SCT20N120的耐高温性可大幅度简化电源模块、电动汽车等应用的散热系统(cooling-system)设计。
  SCT20N120采用意法半导体独有的HiP247?封装,其更高的热效率可使管子在最大工作温度高达200℃时,依然能够维持与TO-247工业标准功率封装外观兼容,SCT20N120目前已开始量产。
  SCT20N120目前已开始量产,详情点击:http://www.st.com/sicmos SCT20N120产品规格参数下载 
  关于意法半导体
  意法半导体(STMicroelectronics;ST)是全球领先的半导体解决方案供应商,为客户提供传感器、功率器件、汽车产品和嵌入式处理器解决方案。从能源管理和节能技术,到数字信任和数据安全,从医疗健身设备,到智能消费电子,从家电、汽车,到办公设备,从工作到娱乐,意法半导体的微电子器件无所不在,在丰富人们的生活方面发挥着积极、创新的作用。意法半导体代表着科技引领智能生活(life.augmented)的理念。意法半导体2014年净收入74.0亿美元。

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