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IR新推出超低导通电阻的75V-MOSFET  

2014-11-24 12:50:32|  分类: 场效应管 |  标签: |举报 |字号 订阅

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IR新推出超低导通电阻的75V-MOSFET - STAR - 电子元器件
  IR针对工业应用扩充Strong IR FET系列,新推出具有超低导通电阻的表面贴装75V MOSFET
  2014年11月13日,全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)
  推出75V器件以扩充Strong IR FET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护、热插拔及开关电源(SMPS)二次侧同步整流等应用。
  全新75V Strong IR FET功率MOSFET系列配备可提升低频率应用性能的超低导通电阻(RDS(on))、极高的载流能力、软体二极管,以及有助于提高抗噪性的3V典型阀值电压。
IR新推出超低导通电阻的75V-MOSFET - STAR - 电子元器件
  IRFS7730-7P是该系列的主要器件之一,采用坚固的7引脚D2-Pak封装,提供最高仅2m?的导通电阻和240A峰值电流。该系列的每款器件都完全通过行业最高雪崩电流级别的雪崩测试,能够为要求严格的工业应用提供最坚固耐用的解决方案。新器件还可采用穿孔式封装。
  IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:IR的75V-Strong IR FET器件系列具有超低导通电阻,而且完全通过严格的行业级雪崩测试,以确保产品坚固耐用。新器件提供基准性能MOSFET以供选择,旨在为工业市场作出优化。
  规格:采用表面贴装封装的75V Strong IR FET,产品现正接受批量订单。

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