注册 登录  
 加关注
   显示下一条  |  关闭
温馨提示!由于新浪微博认证机制调整,您的新浪微博帐号绑定已过期,请重新绑定!立即重新绑定新浪微博》  |  关闭

电子元器件

可控硅,场效应管,肖特基二极管,IC集成电路

 
 
 

日志

 
 
关于我

生产与销售:电子元件、半导体器件、电子产品的设计与开发、居家用品。

网易考拉推荐

晶体管技术取得突破 单PN结的新型基础电子器件诞生  

2013-10-29 13:06:45|  分类: 电子技术 |  标签: |举报 |字号 订阅

  下载LOFTER 我的照片书  |
  众所周知,晶体管要分成多种类型。其中,MOSFET作为基础器件由于其优越性能得到了广泛的应用。
  但是目前使用的场效应管存在两个被学术界称为PN结的结构。
  正常工作时源极和衬底间的PN结始终处于正向导通状态,所以在一般情况下,场效应管的源极和衬底是连接在一起的,由此源极和衬底间的PN结并没有在电路中起作用。
  据相关研究人员介绍,他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破,发明了一种名为单PN结的新型基础电子器件。
  他们据此提出了一项专利申请,制造一种只有一个PN结的场效应管,能够完全取代现有结构的场效应管、简化场效应管的结构、降低成本并提高集成度。
  相关研究人员表示,“单PN结场效应管只需改变相应设计,完全能够在现有标准的CMOS生产线上成功制造出来,希望能够有设计和制造伙伴与我们进行对接,尽快向产业化推进”。

2013-10-29 我的推荐 单击查看
相关日志 可控硅-晶闸管元件 MOSFET-场效应管 肖特基整流二极管 2013年主打产品型号与参数选型

  评论这张
 
阅读(144)| 评论(0)
推荐

历史上的今天

在LOFTER的更多文章

评论

<#--最新日志,群博日志--> <#--推荐日志--> <#--引用记录--> <#--博主推荐--> <#--随机阅读--> <#--首页推荐--> <#--历史上的今天--> <#--被推荐日志--> <#--上一篇,下一篇--> <#-- 热度 --> <#-- 网易新闻广告 --> <#--右边模块结构--> <#--评论模块结构--> <#--引用模块结构--> <#--博主发起的投票-->
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

页脚

网易公司版权所有 ©1997-2017