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半导体进入20nm时代难倒半导体封装  

2013-09-30 15:12:18|  分类: 电子技术 |  标签: |举报 |字号 订阅

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  当前,电器和移动AV设备市场上,智能手机和平板PC成长迅猛。
  智能手机的全球销量从2012年的6.5亿部增加到2013年的7.9亿部。
  预计2015年将达到10亿部。类似地,PC的全球销量从2011年的1.2亿台增加到2013年的1.6亿台。
  预计2017年将达到4.2亿台。这些移动设备要求一年比一年更高的性能、更多的功能和更低的价格。
  所以,用在CPU、GPU、DSP、AP和RF中的半导体产品规模更大,速度更高、更加密集。
  为此晶圆工艺技术正通过加大晶圆尺寸(即从150mm扩大到300mm或400mm)减少成本,
  并通过更细的工艺图形(即从90nm到65nm、45nm、40nm、32nm和28nm)改善至更高的集成度、功能性和速度。
  故与此同时要求更高的电路密度、更高的性能和更低的价格。
  对于集成度较大和速度较高的LSI的成熟技术,有必要开发采用低k材料的隔离技术。
  但为了满足这些高性能,由于用多孔和多层结构,隔离变得越来越薄。结果,LSI就变得易脆。
  另一方面,为了满足高速要求,LSI的电流不断增加。除了芯片尺寸不断缩小外,热密度和功耗也不断增加。
  所以,对于未来的半导体封装,要求解决这些问题,即层间介质的易脆性、高热、高速和低价格。
  半导体工艺未来的设计规则将进入20nm一代或其下,这将更加脆弱得多。

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<#--最新日志,群博日志--> <#--推荐日志--> <#--引用记录--> <#--博主推荐--> <#--随机阅读--> <#--首页推荐--> <#--历史上的今天--> <#--被推荐日志--> <#--上一篇,下一篇--> <#-- 热度 --> <#-- 网易新闻广告 --> <#--右边模块结构--> <#--评论模块结构--> <#--引用模块结构--> <#--博主发起的投票-->
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

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