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美国公司推出全球首款新型氮化镓晶圆 可制造军用设备  

2013-09-24 12:52:27|  分类: 电子技术 |  标签: |举报 |字号 订阅

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  美国半导体公司推出全球首款新型氮化镓晶圆,可制造军用元件及设备
  中新网9月23日电 据中国国防科技信息网报道,美国射频微系统公司(RFMD)日前推出世界首个用于制造射频功率晶体管的碳化硅基氮化镓晶圆,以满足军用和商用需求。
  该公司实现了从现有高产量、6寸砷化镓晶圆生产向6寸氮化镓晶圆生产和研发的转变,以降低成本满足不断增长的氮化镓器件市场需求。
  RFMD公司总裁兼首席执行官鲍勃称:“我们很高兴在RFMD公司的现有高产量6寸砷化镓生产线上推出业界首款6寸碳化硅基氮化镓射频技术。氮化镓器件和砷化镓器件在制造上的合并是我们“砷化镓中氮化镓代工厂”策略的一部分,以使现存生产能力通过制造创新型氮化镓基产品抓住增长机会”。
  根据行业分析公司--策略数据公司的数据,2017年氮化镓微电子市场将是现在的三倍,达到3.34亿美元,年复合增长率(CAGR)达到28%。该市场由军用(雷达、电子战、通信)和商用(电源管理、蜂窝通信、有限电视、移动式无线电通信)共同推动。
  RFMD公司功率宽带部门副总裁杰夫博士称:“利用我们在6寸砷化镓制造技术的领先地位和高产量的专业知识,RFMD公司有能力增加6寸氮化镓制造能力,来推出新的射频功率产品,以此加速我们在通信、有线电视、能量转换、雷达、干扰、宇航和代工业务中的利润增长”。
  氮化镓技术可在有限芯片体积内支持宽频带和高击穿电压。6寸氮化镓晶圆所能提供的有效面积是4寸氮化镓晶圆的2.5倍,因此每个晶圆所产出的射频功率器件数也增加2.5倍。晶圆面积越大,由此带来的每个芯片成本更低,是为军用和商用提供廉价、高性能单片毫米波集成电路(MMIC)的关键。RFMD公司预计在2014年将完成对6寸氮化镓平台的验证。

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