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ST推出首款TO-247封装的650V汽车级MOSFET  

2013-08-16 11:28:41|  分类: 场效应管 |  标签: |举报 |字号 订阅

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ST推出首款TO-247封装的650V汽车级MOSFET - STAR - 电子元器件

  意法半导体推出业界首款采用TO-247封装的650V汽车级MOSFET

  意法半导体推出业界首款采用深受市场欢迎的TO-247封装的650V AEC-Q101汽车级MOSFET
  STW78N65M5和STW62N65M5。在高压脉冲环境中,650V额定电压能够为目标应用带来更高的安全系数,有助于提高汽车电源和控制模块的可靠性。
  这两款器件导通电阻(RDS(ON))极低,分别为0.032? 和0.049?,结合紧凑的TO-247封装,可提高系统能效和功率密度。
  新产品的市场领先的性能归功于意法半导体的MDmesh? V 超结(super-junction)技术。此项技术可生产单位硅面积导通电阻RDS(ON)极低的高压器件,使芯片的封装尺寸变得更小。
  栅电荷(Qg)和输入电容也极低,因此,Qg×RDS(ON)品质因数(FOM,figure of meric)极其出色,开关性能和能效异常优异。此外,优异的抗雪崩(avalanche)性能可确保器件在持续高压运行环境中提高耐用性。
  MDmesh V整合意法半导体专有的垂直式工艺和经过市场检验的PowerMESH?水平式架构,导通电阻较同级别的MDmesh? II器件降低大约50%。
  意法半导体的采用TO-247封装的650V汽车级MOSFET现已量产。

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