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富士通推出耐压150V的GaN功率器件产品  

2013-07-24 10:39:11|  分类: 场效应管 |  标签: |举报 |字号 订阅

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富士通推出耐压150V的GaN功率器件产品 - STAR - 电子元器件

  富士通半导体(上海)有限公司今日宣布,推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A,该芯片可耐压150V。
  富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。
  该产品初始状态是断开(Normally-off),相比于同等耐压规格的硅功率器件,品质因数(FOM)可降低近一半。基于富士通半导体的GaN功率器件,用户可以设计出体积更小,效率更高的电源组件,可广泛的运用于ICT设备、工业设备和汽车电子等领域。上图:MB51T008A
  MB51T008A具有许多优点,包括:
  1、导电阻13mΩ,总栅极电荷为16nC,使用相同的击穿电压,实现的品质因数(FOM)大约是基于硅的电源芯片产品的一半;
  2、使用WLCSP封装,最小的寄生电感和高频率操作;
  3、专有的栅极设计,可实现默认关闭状态,可进行常关操作。
  新产品是数据通信设备、工业产品和汽车电源中使用的DC-DC转换器的高边开关和底边开关的理想选择。
  此外,由于其支持电源电路中更高的开关频率,电源产品可实现整体尺寸缩小和效率的提高。
  富士通半导体计划于2013年7月起开始提供样片,并于2014年开始批量生产。
  除了提供150V的耐压值产品,富士通半导体还开发了耐压为600V和30V的产品,从而有助于在更宽广的产品领域提高电源效率。
  这些GaN功率器件芯片采用富士通研究所自20世纪80年代来牵头开发的HEMT (高电子迁移率晶体管)技术。
  富士通半导体在GaN领域拥有大量的专利技术和IP,可迅速将GaN功率器件产品推向市场。
  富士通半导体还计划与客户在各个行业建立合作伙伴关系,以进一步拓展业务。
  富士通半导体于TECHNO-FRONTIER 2013展出MB51T008A和其它GaN产品。
  时间:2013年7月17~19日
  地点:日本东京国际博览中心。
  公司会提供性能有进一步提高的具有2.5KW输出功率的电源原形产品和测试数据
  该产品的高频PFC模块和高频DC-DC转换器采用了600V耐压的GaN功率器件。
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<#--最新日志,群博日志--> <#--推荐日志--> <#--引用记录--> <#--博主推荐--> <#--随机阅读--> <#--首页推荐--> <#--历史上的今天--> <#--被推荐日志--> <#--上一篇,下一篇--> <#-- 热度 --> <#-- 网易新闻广告 --> <#--右边模块结构--> <#--评论模块结构--> <#--引用模块结构--> <#--博主发起的投票-->
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

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