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飞兆半导体推出1200V沟槽型场截止IGBT  

2013-12-06 17:06:54|  分类: 场效应管 |  标签: |举报 |字号 订阅

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飞兆半导体推出1200V沟槽型场截止IGBT - STAR - 电子元器件

  飞兆半导体的1200V沟槽型场截止IGBT提供更快速的开关性能和改进的可靠性
  飞兆半导体日前推出一系列1200V沟槽型场截止IGBT。以硬开关工业应用为目标,如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电焊机,此新型IGBT系列将帮助电源工程师在其设计中实现更好的效率和可靠性。
  这种新型1200V场截止IGBT系列具有1.8V的VCE(SAT),其远低于以前的快速开关NPTIGBT,可最大程度地降低导通损耗。这些新器件具有1200V快速开关IGBT市场中提供的最低VCE(SAT)额定值之一。开关损耗较低,EOFF值在30?J/A以下。所有器件均包含为快速开关优化的相同封装的二极管。
  “需要创新的新型功率电子技术帮助光伏逆变器生产商降低成本、提高效率并增强可靠性”。工业功率系统总监MHLee先生说。“我们的1200V沟槽型场截止IGBT系列可帮助客户提高其太阳能逆变器设计中的能效和可靠性,并帮助制造商满足政府法规和最终客户不断节能的需求”。
  1200V场截止沟道IGBT系列还允许设计人员在比竞争解决方案更高的开关频率下操作器件,从而有助于减小电容的尺寸和成本以及电路中的电感组件。这样可实现具有较高功率密度、较小尺寸和较低物料成本的系统设计。
  此IGBT系列100%经过在额定电流四倍的电流下箝位电感开关测试,以保证较大的安全工作区(SOA)。
  这些产品采用具有20mm引脚长度的较小TO-247封装(与之前系列的TO264封装相比),并提供15A、25A和40A的额定电流。
  特点与优势:
  低饱和电压:VCE(SAT)=1.8V@额定集电极电流(Ic)
  ?高速开关:?低EOFF=6.6?J/A宽SOA(100%电感负载开关测试;ILM=4倍Ic额定值)易于并联运行(正温度系数)Tj=175°C(最大结温)高输入阻抗,符合RoHS标准
  飞兆半导体的沟槽型场截止IGBT提供业界领先的技术,可应对当今设计中遇到的能效和外形尺寸挑战。这些应用都是飞兆半导体节能型功率模拟IC、功率分立式器件和光电子器件解决方案的一部分,而这些解决方案可在功率敏感型应用中实现最大限度的节能。
  报价:(订购1000个,美元)
  FGH15T120SMD_F155-1200V/15A:$3.30
  FGH25T120SMD_F155-1200V/25A:$4.65
  FGH40T120SMD_F155-1200V/40A:$6.30
  可供货期:按请求提供样品。
  交货期:收到订单后8~12周内

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