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我国加快碳化硅功率器件的研发与商用步伐  

2012-11-28 16:35:22|  分类: 电子技术 |  标签: |举报 |字号 订阅

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  碳化硅(SiC)功率器件作为一种新型半导体材料,具有诸多潜在的优点:更小的体积、更有效率、完全去除开关损耗、低漏极电流、比标准半导体(纯硅半导体)更高的开关频率以及在标准的125℃结温以上工作的能力。
  这使得其在更高温度环境以及更小空间的应用中更加自如。
  受限于SiC单晶材料和外延设备,国内在SiC功率器件方面的实验研究起步较晚,但是我国研究机构一直在跟踪国外SiC宽禁带半导体的发展。在国家973计划和863计划的支持下,先后启动了相关项目研究,初步形成SiC晶体生长(中电46所、山东大学和中科院物理所等)、SiC器件结构设计(电子科技大学和西安电子科技大学等)、SiC器件制造(中电13所、55所和西安电子科技大学等)SiC器件研发队伍。
  在产品开发上,我国企业联合研究机构也开发出了SiC-MOSFET、SiC-SBD和SiC功率管等。
  但是,相关产品的性能、工艺、商用等方面,均落后于国际水平。
  目前,SiC功率器件技术尚基本集中在日本、欧美等公司的手中。
  单就Si器件和SiC器件的成本来看,虽然目前价格相差仍然比较大,但是如果从SiC器件带来的系统性能提升来看,其带来的总体效益将追平两类不同器件形成的价差,特别是在高压复杂环境中应用,SiC器件的优势表现得更加明显。未来随着SiC功率器件产业化的扩大,价格的进一步降低,其应用空间与市场前景将越来越光明。
  中国企业有必要加大这方面的研发与商业化,借技术升级之机,拉近与国际先进技术的差距,追上国际巨头的步伐,做大做强我国功率器件产业。
  相关阅读:认识与了解碳化硅(SiC)
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